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| microPRO™ RTP - 半導體應用之選擇性雷射退火系統 |
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microPRO™ RTP新型雷射退火系統用於半導體、功率器件與微機電系統製造的幾個關鍵製程，結合最先進的雷射光學模組與 3D-Micromac 的模組化半導體晶圓製造平台，多元化的整合系統提供高再現性與高產量的雷射選擇性退火加工。
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特色 :
- 水平與垂直方向選擇性
- 極高的溫度梯度對應低熱預算
- 通過波長的選擇確定吸收深度
- 優異的光束能量均勻性
- 依需求構成雷射光斑
- 動態雷射光斑運動
- 精確的雷射與製程監控
- 脈衝長度、能量以及光斑重疊具有多種選項
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適用於 :
- 磁感測器處理，GMR (巨磁阻) 與TMR (穿隧性磁阻)
目的：在一個晶片中將各別單磁阻元件導引成不同磁性方向
- 歐姆接觸的形成 (OCF)
目的 :
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在晶片背面形成堅固且低歐姆的金屬界面 |
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亦可修復晶圓薄化製程後的機械損傷 |
注意：碳化矽元件越來越薄，閃光退火不再是一種選項
- 通過雷射線掃描激活摻雜劑
- 目的：通過將摻雜移動到明確定義的位置，如在IGBT中形成場截止層
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